在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子,它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强,因此分离的可能性比较低。反应放热后,氟开始和碳化硅进行反应,通入等体积的干燥氮气以稀释氟气,使反应继续进行,生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化。
由碳与氟反应,或一氧1化碳与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,或二氟二氯甲1烷与氟化1氢反应,或四氯1化碳与氟化银反应,或四氯1化碳与氟化1氢反应,都能生成四氟化碳。将其通过装有氢1氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟1化硅,随后通过硅胶和五氧1化二磷干燥塔得到终产品。由于化学稳定性极强,CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。
它在大气中的寿命约为50,000年,全球增温(全球暖化)系数是6,500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似,但四氟化碳不会破坏臭氧层。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应。
因为四氟化碳和四氟化1硅都是共价化合物,然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能,键长也是前者短得多,所以四氟化碳的热稳定性更好。吸入四氟化碳的后果与浓度有关,包括头1痛、恶心、头昏眼花及心血1管系统的破坏(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏破坏。在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比),然而与可燃性气体燃烧时,会分解产生有毒氟化物。
以上信息由专业从事高浓度四氟化碳的安徽谱纯于2024/3/29 7:30:55发布
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