低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
由于光伏级硅材料中不可避免的含有大量的杂质和缺陷,导致硅中少子寿命及扩散长度降低,从而导致电池的转换效率下降,H能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激i发器的系列发生器。在低压和升温的情况下,等离子发生器直接装在镀膜板中间发生反应。所用的活性气体为硅i烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅i烷对氨气的比率,来得到不同的折射指数。在沉积工艺中,伴有大量的氢原子和氢离子的产生,使得晶片的氢钝化性十分良好。在真空、480摄氏度的环境温度下,通过对石墨舟的导电,使硅片的表面镀上一层SixNy。
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电子束蒸发,行星机构在沉积薄膜时均匀转动,各个基片在沉积Al膜时的几率均等;行星机构的聚焦点在坩埚蒸发源处,各个基片在一定真空度下沉积速率几乎相等。采用磁控溅射镀膜方法,由于沉积电流和靶电压可以控制,也即是溅射功率可以调节并控制,因此膜厚的可控性和重复性较好,并且可在较大表面上获得厚度均匀的膜层。Al膜厚度的测量可采用金属膜厚测量仪,它是根据涡流原理设计制造的无损测厚仪。根据工艺参数,我们制备了一批试样,样品经测试,溅射Al薄膜的平均厚度是1.825μm,电子束蒸发Al薄膜的平均厚度是1.663μm,均符合半导体器件电极对Al膜厚的要求(小信号为1.7±0.15μm;大功率为2.5±0.3μm。
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磁控溅射生产出来的金属膜,优点很多,比如具有高清晰、高隔热、低反光的特点。尤其是它是通过反射热量而非吸收热量来达到隔热的目的,所以车辆如果长时间暴晒在太阳底下,贴磁控溅射膜车隔热效果要优于纳米陶瓷膜。当然它缺点也明显,很贵就是它的缺点。还有就是金属膜容易氧化,也会影响到手机等信号的接收,这就是有时候贴了金属膜车内会丢信号、ETC识别不出的原因(温馨建议,不要全车玻璃都贴金属膜,像ETC需要留口子)。
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PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).实验机理:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,较少,不易龟裂。磁控溅射主要利用辉光放电(glowdischarge)将气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢比较多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的气离子化,造成靶与气离子间的撞击机率增加,提高溅镀速率。
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以上信息由专业从事ITO镀膜真空镀膜厂商的半导体研究所于2023/1/29 9:17:53发布
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